在计算机内存的发展历程中，DDR（双倍数据速率）内存占据着重要的地位，它经历了多次的升级换代，每一代都在前一代的基础上实现了性能的显著提升。

DDR 内存的发展始于 DDR1，它是在 SDRAM 内存基础上发展而来的，通过在时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，使得数据传输速度相比 SDRAM 提高了一倍 ，工作电压为 2.5V，常见的频率有 200MHz、266MHz、333MHz 和 400MHz，对应的传输标准分别是 PC1600、PC2100、PC2700 和 PC3200。DDR1 内存采用 184Pin 的 DIMM 插槽，防呆缺口从 SDR SDRAM 时的两个变成一个。 不过，DDR1 的容量相对有限，单条最大容量一般为 1GB 。

随着技术的不断进步，DDR2 内存应运而生。它在保持双倍数据传输的基础上，拥有了两倍以上于 DDR1 的预读取能力，这意味着它在每个时钟周期内可以以四倍外部总线的速度读 / 写数据 ，并且能够以内部控制总线四倍的速度运行。工作电压降至 1.8V，降低了能耗。DDR2 内存的频率范围从 400MHz 到 1200MHz，主流频率是 DDR2-800 ，单条容量从 256MB 起步，最大可达 4GB，采用 240Pin DIMM 接口，且电气性能与散热性更好，有利于内存的稳定工作与未来频率的发展。

DDR3 内存进一步提升了性能，它提供了更高的运行效能与更低的电压，核心电压降低到 1.5V，更加省电。预取从 4-bit 变成了 8-bit，这是 DDR3 提升带宽的关键，同样的核心频率下，DDR3 能够提供两倍于 DDR2 的带宽。DDR3 内存的频率从 800MHz 起步，一般能买到的最高频率为 2400MHz ，也有厂商推出了特挑 3100MHz 的 DDR3 内存，单条容量从 512MB 到 8GB，甚至也有单条 16GB 的内存条。DDR3 内存与 DDR2 一样是 240Pin DIMM 接口，但两者的防呆缺口位置不同，不能混插。

DDR4 是目前应用较为广泛的内存类型，相比 DDR3 有了多方面的重大改进。它采用了 16bit 预取机制（DDR3 为 8bit），在同样内核频率下理论速度是 DDR3 的两倍；拥有更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为 1.2V，更节能。DDR4 内存的针脚从 DDR3 的 240 个提高到了 288 个，防呆缺口与 DDR3 的位置也不同，金手指呈中间高两侧低并且有轻微的曲线，这样的设计在保持与 DIMM 插槽有足够的信号接触面积的同时，也能在移除内存的时候比 DDR3 更加轻松。频率方面从 2133MHz 起步，最高可以达到 4200MHz 甚至更高，单条容量常见的有 4GB、8GB 和 16GB，能更好地满足对大内存的需求，尤其是在虚拟化和高性能计算环境中。

作为最新一代的 DDR 内存，DDR5 带来了更为显著的性能提升。标准起始频率显著高于 DDR4，通常从 4800MT/s（兆传输速率）起步，峰值频率已达到甚至超过 7200MT/s 。DDR5 采用了更深度的预取（通常为 16n prefetch），相比 DDR4 的 8n prefetch，能够在每个时钟周期内预取更多的数据，从而提升整体带宽。工作电压进一步降至 1.1V，功耗更低，能效更高，还引入了两个独立的电源轨，一个用于核心逻辑（VDD），另一个用于 I/O 接口（VDDQ），这种分离设计允许更精细的电源管理。通过提高单颗 DRAM 芯片的密度，DDR5 能够实现单条内存更大的容量，如常见的 16GB、32GB 乃至更高。此外，DDR5 增加了 Bank Group 数量，每个 Bank Group 可以独立进行读写操作，从而提高并发访问效率，增强多线程应用的性能；还首次在客户端内存模组中引入了独立的时钟驱动器（CKD）芯片，负责缓冲和稳定 CPU 与 DRAM 之间传输的高速时钟信号，部分 DDR5 内存模块还支持 ECC 功能，能够在内存内部实时检测并纠正单一比特错误。